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助熔剂理想条件

发布时间:2019-11-18 来源:标准物质中心网 作者:陈艳雪 浏览23次
助熔剂一类为金属,主要用于半导体单晶的生长。另一类为氧化物和卤化物,主要用于氧化物和离子材料的生长。助熔剂的选择是助熔剂法生长宝石晶体的关键,它不仅能帮助降低原料的熔点,还直接影响到晶体的结晶习性、质量与生长工艺。今天给大家介绍下助熔剂理想条件。

1、不易污染晶体,不与原料反应形成中间化合物。
2、易把晶体与助熔剂分离。
3、对晶体材料应具有足够强的溶解能力。
4、在使用温度下挥发性要低。
5、毒性和腐蚀性要小,不易与坩埚材料发生反应。
6、具有尽可能低的熔点和尽可能高的沸点。
7、应具有尽可能小的粘滞性。
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